晶體振蕩器的特性

溫度特性:指在其他條件不變的情況下，溫度對其頻率穩(wěn)定度的影響

電壓特性:指在其他條件不變的情況下，電壓的變化(小幅度紋波)對其頻率穩(wěn)定度的影響

壓控電壓:有些晶振會有一個VC腳位，通過外加電壓調節(jié)輸出頻率，一般牽引范圍在PPM級別

雜散:指相噪曲線上的一些毛刺，源于放大器或者混頻器的噪音

短期穩(wěn)定性:理想的振蕩器的輸出電壓為正弦曲線。實際的振蕩器輸出電壓由于噪聲的影響是偏移的正弦曲線的

選擇振蕩器時需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

石英晶體振蕩器的發(fā)展趨勢

1、小型化、薄片化和片式化：為滿足移動電話為代表的便攜式產品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經上市。

2、高精度與高穩(wěn)定度，目前無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內一般可達±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。

晶體振蕩器在當今社會的應用

（1）以滿足當今電子電路溫度都要在125℃以上的所有工業(yè)的要求；（2）石油服務行業(yè)；（3）燃氣渦輪機的控制；（4）測井，隨鉆測井；（5）工業(yè)控制；（6）航空航天應用。我公司提供解決方案，助力油田工程師將產品更快的推向市場，生產各類晶振產品，歡迎來電咨詢！