壓控振蕩器的特性

壓控振蕩器的類(lèi)型有LC壓控振蕩器、RC壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對(duì)壓控振蕩器的技術(shù)要求主要有：頻率穩(wěn)定度好、控制靈敏度高、調(diào)頻范圍寬、頻偏與控制電壓成線性關(guān)系并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，但調(diào)頻范圍窄；RC壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度低而調(diào)頻范圍寬，LC壓控振蕩器居二者之間。

在通信或測(cè)量?jī)x器中，輸入控制電壓是欲傳輸或欲測(cè)量的信號(hào)（調(diào)制信號(hào)）。人們通常把壓控振蕩器稱(chēng)為調(diào)頻器，用以產(chǎn)生調(diào)頻信號(hào)。在自動(dòng)頻率控制環(huán)路和鎖相環(huán)環(huán)路中，輸入控制電壓是誤差信號(hào)電壓，壓控振蕩器是環(huán)路中的一個(gè)受控部件。

鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應(yīng)研究

空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下,將產(chǎn)生頻率或相位偏差,甚至導(dǎo)致振蕩中止,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路,也是對(duì)SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準(zhǔn)的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對(duì)180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對(duì)壓控振蕩器SET響應(yīng)的影響,通過(guò)分析失效機(jī)理,以指導(dǎo)抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計(jì)。研究結(jié)果表明,當(dāng)器件工作在截止區(qū)時(shí),入射粒子引起壓控振蕩器輸出時(shí)鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時(shí)鐘錯(cuò)誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時(shí)鐘的相位差也是增大的。

DRO系列壓控振蕩器是一種基本的窄帶信號(hào)源，它利用高Q介質(zhì)諧振器實(shí)現(xiàn)了好的相位噪聲性能。目前，DRO VCO解決方案適用于在7至14 GHz范圍內(nèi)工作的頻率。該可定制的超低噪聲振蕩器系列可提供電氣調(diào)諧和機(jī)械調(diào)諧，以實(shí)現(xiàn)精細(xì)的頻率精度

CRO或陶瓷諧振器系列振蕩器以提供出色的相位噪聲性。 它們?cè)诜秶鷥?nèi)可用從400 MHz到8 GHz的任何頻率，同時(shí)提供非常低的調(diào)諧靈敏度以?xún)?yōu)化性能。 

1. 中心頻率指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達(dá)到245.0MHz，LVDS可達(dá)到2.1GHz, HCSL可達(dá)到700MHz。

2. 輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS, LVDS, HCSL, True Sine都有不同的波形特征以及用途。

3. 工作電壓可根據(jù)具體型號(hào)選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應(yīng)用較為廣泛。

4. 壓控范圍通過(guò)調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位為ppm，范圍一般為±50~200ppm。

5. 頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內(nèi)，對(duì)標(biāo)稱(chēng)頻率允許的偏差，單位一般為百萬(wàn)分之一即ppm。

6. 工作溫度工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)-40~85℃。特殊應(yīng)用會(huì)對(duì)溫度有更高的要求。