真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將氣(Ar)離子撞擊靶材du(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氣離子化,造成靶與氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。

水晶振蕩監(jiān)控：利用石英晶體振動頻率與其質(zhì)量成反比的原理工作的。但是石英監(jiān)控有一個不好之處就是當膜厚增加到厚度后，振動頻率不全然由于石英本身的特性使厚度與頻率之間有線性關(guān)系，此時須使用新的石英振蕩片。

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在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

　　真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀30年，四五十年開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得廣泛的應(yīng)用。