脈沖激光沉積簡介

隨著現(xiàn)代科學和技術的發(fā)展，薄膜科學已成為近年來迅速發(fā)展的學科領域之一，是凝聚態(tài)物理學和材料科學的一個重要研究領域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不僅具有豐富的物理內涵，而且在微電子、光電子、超導材料等領域具有十分廣泛的應用。想要了解更多沈陽鵬程真空技術有限責任公司的相關信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話。長期以來，人們發(fā)明了多種制膜技術和方法：真空蒸發(fā)沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機化學氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。上述方法各有特點，并在一些領域得到應用。但由于其各有局限性，仍然不能滿足薄膜研究的發(fā)展及多種薄膜制備的需要。隨著激光技術和設備的發(fā)展，特別是高功率脈沖激光技術的發(fā)展，脈沖激光沉積（PLD）技術的特點逐漸被人們認識和接受

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脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。主腔室預留備用的腔口，如用于觀察靶材和基底，安裝原子吸收或發(fā)射光譜儀、原位橢偏儀、離子槍或磁控濺射源、殘留氣體分析器和離子探針或其他的元件等等5。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD 采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時，設計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。

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