編輯：DD

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。

ASEMI工程師講解雪崩問題解決方案

在IAS下不會(huì)燒毀的維持時(shí)間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時(shí)，可保證在5μs之內(nèi)不會(huì)損壞器件。EAS是檢驗(yàn)肖特基勢壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。

總而言之，肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒！

前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速！電特性當(dāng)然都是二極管！

快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.這兩種管子通常用于開關(guān)電源?？旎謴?fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。

MURF1060CT 強(qiáng)元芯ASEMI核芯動(dòng)力 快恢復(fù)實(shí)力彰顯！

采用了臺(tái)灣健鼎的一體化測試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時(shí)檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個(gè)參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標(biāo)準(zhǔn)，將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴(yán)到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進(jìn)口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。