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光刻膠的應(yīng)用
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模擬半導(dǎo)體(Analog Semiconductors)發(fā)光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽(yáng)能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)
光刻膠的參數(shù)介紹
1.對(duì)比度(Contrast)
對(duì)比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對(duì)比度越好,越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。
2.粘滯性/黏度 (Viscosity)
衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。黏度通??梢允褂霉饪棠z中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。
3.抗蝕性(Anti-etching)
光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
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選擇光刻膠需要注意什么
光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質(zhì),使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被拷貝在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是較好的,但實(shí)際應(yīng)用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對(duì)光刻膠進(jìn)行合理的選擇。
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