為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問(wèn)題。長(zhǎng)期使用后若溫升過(guò)高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線(xiàn)增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

2.4短路技術(shù)條件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路電流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技術(shù)條件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設(shè)定 5、測(cè)試頻率：?jiǎn)未?2.6 NTC測(cè)試技術(shù)條件 阻值測(cè)量范圍：0～20KΩ

13）被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān) 被測(cè)安全接地開(kāi)關(guān)，設(shè)備不運(yùn)行時(shí)，被測(cè)接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應(yīng)時(shí)間 150ms ?工作方式 氣動(dòng)控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 14）工控機(jī)及操作系統(tǒng) 用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下： ?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL雙核； ?主板：研華SIMB； ?硬盤(pán)：1TB；內(nèi)存4G； ?3個(gè)5.25”和1個(gè)3.5”外部驅(qū)動(dòng)器； ?集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。1電壓源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS。 ?西門(mén)子PLC邏輯控制

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測(cè)試電路 閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路） ?滿(mǎn)足表格9測(cè)試參數(shù)要求 ?低壓開(kāi)關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA；對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿(mǎn)意，解決了特大功率器件因無(wú)法測(cè)試給機(jī)車(chē)在使用帶來(lái)的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問(wèn)題。 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V