MBR1060肖特基二極管，MHCHXM品牌，采用TO－220封裝塑封，電性參數(shù)：10A45V；俄羅斯進口晶圓大芯片制作，其高抗沖擊性能尤為顯著，黑膠部分采用復合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型，具有良好的包封性；而引腳為99.99％無氧銅材質(zhì)組成，抗氧化、抗彎曲和高導電性。

“誠信”是強元芯屹立于行業(yè)之本，未來，我們?nèi)詫∈亍罢\信，專業(yè)，務實”的服務理念，不斷完善  創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴肖特基二極管MBR1045CT管裝：50/管；盒裝：1000PCS/盒。

UL為美國安規(guī)認證，是世界上安全試驗和鑒定最權威機構整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運作良率是世界上安全試驗和鑒定最權威機構

激光打標，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質(zhì)是采用進口環(huán)氧塑脂材料

我司承諾，在收到產(chǎn)品30天內(nèi)，只要在不上機，不損壞外包裝的情況下，可憑銷售清單申請退、換貨。

公司擁有一支高素質(zhì)的專業(yè)人才團隊，其中電子、機械、工程管理各類專業(yè)工程師及高級管理人才37人，他們將自己研發(fā)的20多項專利應用于整流橋和肖特基二極管。

編輯：DD

電子從半導體向金屬擴散運動的結(jié)果，形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊(勢壘區(qū)全部落在半導體一側(cè))。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，最終達到動態(tài)平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。

由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管。

SBD的結(jié)構及特點使其適合于在低壓、DA電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

ASEMI肖特基二極管和普通快恢復二極管的區(qū)別?

肖特基整流管的結(jié)構原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側(cè)無過剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題（Qrr→0），使開關特性獲得時顯改善。