電源模塊輸出紋波噪聲過大原因

輸出紋波噪聲過大的原因：

（1）電源模塊與主電路噪聲敏感元件距離過近

（2）主電路噪聲敏感元件的電源輸入端處未接去耦電容

（3）多路系統(tǒng)中各單路輸出的電源模塊之間產(chǎn)生差頻干擾

（4）地線處理不合理

解決方法：可以通過將模塊與噪聲器件隔離或在主電路使用去耦電容等方案改善。電源模塊常見異常輸入電壓過高電源模塊輸入電壓過高，輕則導(dǎo)致系統(tǒng)無法正常工作，重則燒毀電路。如：將電源模塊盡可能遠(yuǎn)離主電路噪聲敏感元件或模塊與主電路噪聲敏感元件進(jìn)行隔離，主電路噪聲敏感元件(如：A/D、D/A或MCU等)的電源輸入端處接0.1μF去耦電容，使用一個(gè)多路輸出的電源模塊代替多個(gè)單路輸出模塊消除差頻干擾，采用遠(yuǎn)端一點(diǎn)接地、減小地線環(huán)路面積。

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電容在開關(guān)電源模塊的作用

一直以來，開關(guān)電源模塊的電磁干擾是一個(gè)重要的解決點(diǎn)，從原理上來講電磁干擾主要來自于兩個(gè)方面，即傳導(dǎo)干擾和輻射的干擾。

傳導(dǎo)干擾是由于電路中寄生參數(shù)的存在，以及開關(guān)電源中開關(guān)器件的開通與判斷，使得開關(guān)電源在交流輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。

輻射的干擾是指由于導(dǎo)體中電流的變化會(huì)在其周圍空間中產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)，而變化的磁場(chǎng)又產(chǎn)生變化的電場(chǎng)，這一變化電流的幅值和頻率決定其產(chǎn)生的電磁的大小以及其作用范圍。

為了減輕和抵抗這些電磁干擾對(duì)電網(wǎng)及電子設(shè)備產(chǎn)生的危害，設(shè)了X電容和Y電容，其中X電容主濾波作用，常用于差模濾波，與共模電感匹配，并聯(lián)在輸入的兩端，濾除L、N線之間的差模信號(hào)，可防對(duì)外干擾。而Y電容主接地，常用于共模濾波，對(duì)稱使用，接于L于地或N于地之間，濾除L對(duì)地或N對(duì)地之間的差模信號(hào)。另外，出于產(chǎn)品規(guī)范和系統(tǒng)性能的考慮，電源產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)必須足夠低?；诼╇娏鞯南拗?，Y電容值不能太大。

絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar tansistor，IGBT）是一種復(fù)合開關(guān)器件，關(guān)斷時(shí)的電流拖 尾會(huì)導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零，則可以顯著地降低開關(guān)損耗，因此IGBT宜采用零電流（ZCS）關(guān)斷方式。IGBT在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開通時(shí)，并不能減小容性開通損耗。但在實(shí)際應(yīng)用中，在模塊電壓相同情況下，每個(gè)模塊的輸出阻抗是不一樣的，輸出電壓細(xì)微的差別都將影響著輸出電流的變化。諧振轉(zhuǎn)換器（ResonantConverter ，RC）、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器（Qunsi-Tesonant Converter，QRC）、多諧振轉(zhuǎn)換器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零電壓開關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZVS PWM Converter）、零電流開關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZCS PWM Converter）、零電壓轉(zhuǎn)換（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換（Zero- Voltage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開關(guān)器件和零開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開關(guān)電源的發(fā)展。