微弧氧化設(shè)備

      微弧氧化設(shè)備有熱交換和制冷設(shè)備。由于微弧氧化過(guò)程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過(guò)較大的電解電流，使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處，而影響所形成膜層的質(zhì)量，因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備，使電解液及時(shí)冷卻，保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。可將電解液采用循環(huán)對(duì)流冷卻的方式進(jìn)行，既能控制溶液溫度，又達(dá)到了攪拌電解液的目的。微弧氧化設(shè)備、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、鋁合金微弧氧化、微弧噴涂。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化的發(fā)展

      由于微弧氧化是在陽(yáng)極氧化膜被電ji穿的基礎(chǔ)上進(jìn)行的，所以在探討微弧氧化機(jī)理時(shí)我們要結(jié)合電ji穿理論的研究和發(fā)展，從而闡述微弧氧化基本原理。微弧氧化技術(shù)就是在電ji穿理論的基礎(chǔ)上加以研究和應(yīng)用的新型表面力一技術(shù)。自1932年Betz等觀察到電ji穿的現(xiàn)象以來(lái)，許多研究者都對(duì)電ji穿產(chǎn)生的原因 過(guò)各種各樣的假設(shè)和模型?？傮w上看，電ji穿理論經(jīng)歷了離子電流機(jī)理、熱作用機(jī)理、機(jī)械作用機(jī)理以及電子雪崩機(jī)理等不同的發(fā)展階段。了解電ji穿原理，對(duì)于研究微弧氧化機(jī)理，開(kāi)發(fā)新的表面處理技術(shù)均有著重要的理論意義。微弧氧化電解液組成及工藝條件微弧氧化電解液組成：K2SiO35～10g/L，Na2O24～6g/L，NaF0。

微弧氧化工藝研究

        微弧氧化的工藝研究主要集中在電流密度、電解液組成、電源模式、基材成分等工藝因素對(duì)氧化膜的厚度、結(jié)構(gòu)與性能的影響方面。 指出，電流密度對(duì)微弧氧化膜厚度有著決定性影響。在含有濃度6%水玻璃的電解液中，使用工業(yè)交流電源，對(duì)兒種不同鋁合金，依零件的不同幾何形狀和尺寸，電流密度在1--50A / cm2范圍內(nèi)，經(jīng)60次微弧氧化實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，形成的氧化膜厚度與電流密度成線性關(guān)系。其中特別是加在工件上的電壓與電流密度對(duì)于氧化膜的性能至關(guān)重要。