如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：

利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。

等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。

氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節(jié)沉積參數來減少張力。

先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產生的。

氮化硅陶瓷制品的生產方法有兩種，即反應燒結法和熱壓燒結法。氮化硅結合碳化硅磚是指用SiC和Si為原料，經氮化燒成的耐火制品。反應燒結法是將硅粉或硅粉與氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生產方法成型。然后在氮化爐內，在1150~1200℃預氮化，獲得一定強度后，可在機床上進行機械加工，接著在1350~1450℃進一步氮化18~36h，直到全部變?yōu)榈铻橹?。這樣制得的產品尺寸，體積穩(wěn)定。熱壓燒結法則是將氮化硅粉與少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、AlF3或Fe2O3等），在19.6MPa以上的壓力和1600~1700℃條件下壓熱成型燒結。通常熱壓燒結法制得的產品比反應燒結制得的產品密度gao，性能好。

由氮化硅廠家提供的氮化硅呈淺灰白色，是在特定氣氛溫度下的生成的新型材料。氮化硅在鋼鐵冶煉、耐火材料、等方面有非常好的應用，耐磨橡膠、塑料、陶瓷等常溫及高溫密封磨料方面也有廣泛的應用。氮化硅結合碳化硅制品是在氮氣爐中燒制而成的，氮化硅制品的顏色通常都是灰白色的，砸開以后也是灰白色，但是可以明顯看到碳化硅顆粒。氮化硅是具有良好的耐腐蝕性能、導熱性、耐熱沖擊和耐磨損性能。可在于1800攝氏度以下的溫度使用。氮化硅具有優(yōu)良的分裂耐力性，十分穩(wěn)定的化學成份和導熱性。具有膨脹系數小、熱導率大及強度大優(yōu)點。四是高溫耐氧化性好。