金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。但除了某些設(shè)備和工具比以前先進(jìn)了之外，所有工藝大都沒(méi)有以前正規(guī)的標(biāo)牌廠那樣嚴(yán)格正規(guī)，很多人只想打破由正規(guī)渠道學(xué)技術(shù)的模式，使得粗制濫造的現(xiàn)象很普遍。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來(lái)的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點(diǎn)。這種鋁表面還有一層保護(hù)膜保護(hù)好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進(jìn)行加工，一起來(lái)看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性，從而推動(dòng)摩爾定律發(fā)展；隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細(xì)，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞，用于生產(chǎn)先進(jìn)FinFET和存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)先進(jìn)芯片的一個(gè)重要壁壘是在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們?cè)谖g刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新，豐富了我們的差異化產(chǎn)品線，通過(guò)實(shí)現(xiàn)選擇性清除工藝，推動(dòng)了摩爾定律發(fā)展，創(chuàng)造了新的市場(chǎng)機(jī)遇。金屬標(biāo)牌蝕刻工藝流程金屬的種類不同，其蝕刻工藝的流程也不同，標(biāo)牌蝕刻是現(xiàn)在比較常見(jiàn)的一種形式，因成本較低，收入穩(wěn)定大受歡迎，很多人在選擇蝕刻加工時(shí)都會(huì)選擇標(biāo)牌蝕刻法。

隨著先進(jìn)微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來(lái)了全新的挑戰(zhàn)，例如濕性化學(xué)成分無(wú)法穿透微小結(jié)構(gòu)，或是無(wú)法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。有人說(shuō)叫它腐蝕標(biāo)牌不是很妥切，因?yàn)楦g一詞多指金屬在自然條件下所遭受的破壞行為的一種結(jié)果。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進(jìn)入極狹小的空間，從而實(shí)現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性，適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無(wú)殘留物和無(wú)損傷材料清除的能力，顯著擴(kuò)大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。

1.6 蝕刻

可用兩種方法進(jìn)行蝕刻： A、電解法：電流 15－50A，電壓 3－5V，電解液：20%氯化銨、20%硫酸，陽(yáng)極用鈦板。電解過(guò)程中及時(shí)去掉陽(yáng)極上浮 留電解銅，以保證電流正常通過(guò)。所以﹐采用無(wú)銅的添加液來(lái)漂洗板子(第二次噴淋操作的方法)﹐可大大地減少銅的排出量。 B、三氯化鐵法：選用較純的三氯化鐵泡成 30 波氏度溶液，流 動(dòng)腐蝕。同一個(gè)版面要達(dá)到深淺不同效果，要在頭次達(dá)到淺度要求 后，清洗表面，烘干。在已達(dá)到淺度蝕刻處涂上（印上）普通耐蝕刻 油墨，再行二次蝕刻。 1.7 除膜 將已蝕刻完畢的銅板放在水、 30∶1∶0.1 溶液 中加溫至 70℃除膜、清洗出光。 1.8 電鍍 除膜后的銅板圖案已經(jīng)很亮，很細(xì)，無(wú)須再行鍍亮銅，可直接 進(jìn)行鍍鎳 40－90 秒，再行鍍金、鍍銀。

關(guān)于蝕刻狀態(tài)不相同的問(wèn)題

大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問(wèn)題都集中在上板面被蝕刻的部分, 而這些問(wèn)題來(lái)自于蝕刻劑 所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。采用蝕刻方式制作的標(biāo)牌在儀器、儀表標(biāo)牌、設(shè)備編號(hào)牌等領(lǐng)域都有很好的應(yīng)用。 對(duì)這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面 上﹐一方面會(huì)影響噴射力﹐另一方面會(huì)阻檔了新鮮蝕刻液的補(bǔ)充﹐使蝕刻的速度被降低。 正因膠狀板結(jié)物的形成和堆積, 使得基板上下面的圖形的蝕刻程度不同, 先進(jìn)入的基板因 堆積尚未形成﹐蝕刻速度較快, 故容易被徹底地蝕刻或造成過(guò)腐蝕﹐而后進(jìn)入的基板因堆 積已形成﹐而減慢了蝕刻的速度。