化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備W、Mo、Pt、Ir等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。化學(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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等離子體化學(xué)氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)

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等離子體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)

由于輝光放電過程中對反應(yīng)氣體的激勵主要是電子碰撞，因此等離子體內(nèi)的基元反應(yīng)多種多樣的，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復(fù)雜，這些都給PECVD技術(shù)制膜過程的機(jī)理研究增加了難度。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。迄今為止，許多重要的反應(yīng)體系都是通過實驗使工藝參數(shù)較優(yōu)化，從而獲得具有理想特性的薄膜。對基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理，便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。

ICP刻蝕機(jī)的應(yīng)用

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī)，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

等離子體處理可應(yīng)用于所有的基材，甚至復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負(fù)荷及機(jī)械負(fù)荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機(jī)的典型應(yīng)用包括：

等離子體清除浮渣

光阻材料剝離

表面處理

各向異性和各向同性失效分析應(yīng)用等離子刻蝕反應(yīng)材料改性

包裝清洗

鈍化層蝕刻

聚亞酰胺蝕刻

增強(qiáng)粘接力

生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

聚合反應(yīng)

混合物清洗

預(yù)結(jié)合清洗