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用正交試驗法,對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標,以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設計,并開展了四因素三水平的正交試驗。使用掃描電鏡對正交試驗后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進行了觀察;利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進行測量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
時間對微弧氧化封孔膜層增厚的影響
在其他工藝參數(shù)相同的情況下,不同封閉時間對陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時間較短時,膜層增厚較少;隨著時間的延長,膜層逐漸增厚;但是封閉時間過長,如封閉時間超過60min后,膜層增厚并不顯著,而且有下降的趨勢。
日照微弧技術有限公司秉承“真誠服務、信譽為先”的經(jīng)營理念,非常注重產(chǎn)品質(zhì)量,贏得了廣大客戶的一致好評,竭誠歡迎新老客戶前來洽談、惠顧!
微弧氧化如何動電位極化曲線檢測?
采用電化學工作站的三電極體系進行測試,測試前為了保證良好的導電性需將試樣一面的陶瓷膜層打磨掉,然后浸泡于質(zhì)量分數(shù)為5%的NaCl水溶液中進行測試。動電位范圍設置為-0.2V~ 0.4V(相對于開路電位),掃描速度為1mV/s。采用EchemAnalyst 軟件對極化曲線進行Tafel 擬合得到電化學參數(shù)。