干法刻蝕

干法刻蝕種類(lèi)很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度高。缺點(diǎn)是：成本高，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過(guò)程（如離子銑），物理化學(xué)過(guò)程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）。另外，化學(xué)機(jī)械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。

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刻蝕技術(shù)

北創(chuàng)世威納京專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)、銷(xiāo)售離子束刻蝕機(jī)，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

刻蝕技術(shù)（etching technique），是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

離子束刻蝕機(jī)

加速1器從離子源獲得的離子束的能量一般從幾百電子伏到幾萬(wàn)電子伏。因?yàn)橛酶咭鲭妷悍绞将@得較高能量的離子束受到擊穿的限制，所以必須使離子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中加速,這類(lèi)裝置叫做加1速器(見(jiàn)粒子加1速器)使用各種加1速器可以使離子獲得很高的能量（如幾百吉電子伏），也可以使離子減速，以獲得能量較低的（如幾十電子伏）但流強(qiáng)很高的離子束。

離子束刻蝕

離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面，使材料原子發(fā)生濺射，從而達(dá)到刻蝕目的.把Ar、Kr或Xe之類(lèi)惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理過(guò)程。