銀芝麻重防腐涂料——山東金芝麻環(huán)保

第三代半導(dǎo)體材料，主要代表碳化硅和氮化相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料而言，在高溫、高壓、高頻的工作環(huán)境下有著明顯的優(yōu)勢(shì)。

碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，直到1955年才開(kāi)發(fā)出生長(zhǎng)碳化硅晶體材料的方法，1987年商業(yè)化生產(chǎn)的的碳化硅才進(jìn)入市場(chǎng)，21世紀(jì)后碳化硅的商業(yè)應(yīng)用才算鋪開(kāi)。

與硅相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，禁帶寬度越寬，臨界擊穿電壓越大，高電壓下可以減少所需器件數(shù)目。具有高飽和電子飄逸速度，制作的元件開(kāi)關(guān)速度大約是硅的3-10倍，高壓條件下能高頻操作，所需的驅(qū)動(dòng)功率小，電路能量損耗低。具有高熱導(dǎo)率，可減少所需的冷卻系統(tǒng)，也更適用于高功率場(chǎng)景下的使用，一般的硅半導(dǎo)體器件只能在100℃以下正常運(yùn)行，器件雖然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作溫度可達(dá)600℃，具有很強(qiáng)的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小，工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高，體積減小。

(二)制品制造工藝

單純用α-SiC制造制品，由于其硬度較大，將其磨成微米級(jí)細(xì)粉相當(dāng)困難，而且顆粒呈板狀或針狀，用它壓成的坯體，即使在加熱到它的分解溫度附近，也不會(huì)發(fā)生明顯的收縮，難以燒結(jié)，制品的致密化程度低，能力也差。因此，在工業(yè)生產(chǎn)制品時(shí)，在α-SiC中加入少量的顆粒呈球形的β-SiC細(xì)粉和采用添加物的辦法來(lái)獲得致密制品。作為制品結(jié)合劑的添加物，按種類(lèi)可分為氧化物、氮化物、石墨等多種，如粘土、氧化鋁、鋯英石、莫來(lái)石、石灰、玻璃、氮化硅、氧氮化硅、石墨等。成型粘結(jié)劑溶液可用羧纖維素、聚乙烯醇、木質(zhì)素、淀粉、氧化鋁溶膠、二氧化硅溶膠等其中的一種或幾種。

一般來(lái)說(shuō)，碳化硅耐火材料具有多方面的優(yōu)良性能，例如，在比較寬的溫度范圍內(nèi)具有高的強(qiáng)度、高的抗熱震性、優(yōu)良的耐磨性能、高的熱導(dǎo)率、耐化學(xué)腐蝕性等。不過(guò)，也應(yīng)看到，它的弱點(diǎn)是能力差，由此而造成高溫積脹大、變形等降低了使用壽命。

為了提高碳化硅耐火材料的性能，在結(jié)合劑方面做了不少的選擇工作。使用粘土(包括氧化物)結(jié)合，但并未能起到保護(hù)作用，碳化硅顆粒仍然受到氧化和侵蝕。50年代末，選擇用氮化硅(Si3N4)結(jié)合，作為碳化硅耐火材料的改進(jìn)產(chǎn)品，確實(shí)具有很好的性(見(jiàn)圖1)，且無(wú)顯著的膨脹現(xiàn)象。但是價(jià)格較貴；加之在反復(fù)加熱冷卻時(shí)有突然破壞的可能；而氮化硅本身的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)帶有滲透性，不能從根本上保護(hù)碳化硅不被氧化。60年代初，又出現(xiàn)了用氧氮化硅(Si2ON2)結(jié)合的碳化硅耐火材料，比之氮化硅結(jié)合具有更好的性能，因?yàn)檠醯枵掣接谔蓟璞砻娴难趸璞∧?，并與其反應(yīng)形成和碳化硅牢固結(jié)合的連續(xù)保護(hù)膜。同時(shí)，這種材料的價(jià)格適當(dāng)，相當(dāng)于用氧化物結(jié)合的碳化硅材料。

碳化硅的原料有石英砂、石油焦等，又叫金剛砂，化學(xué)結(jié)構(gòu)為六方形晶體，通常比重為 3.2，硬度較大，平均為3000kg/mm2。碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如導(dǎo)熱系數(shù)高、膨脹系數(shù)小、體積小和強(qiáng)度高等。碳化硅涂層被電磁波影響，從而產(chǎn)生感應(yīng)電流，應(yīng)電流易受電磁場(chǎng)影響改變方向，同時(shí)由于材料的高電阻阻礙，電磁波的能量會(huì)變?yōu)闊崃可⑹?，即能量消耗，這樣雷達(dá)等電子設(shè)備的信號(hào)大大減弱，這種現(xiàn)象稱為吸波性能。

不同類(lèi)型的碳化硅材料具有不同的吸波能力。例如，異形截面的碳化硅與邊界規(guī)則的碳化硅截面具有不同的吸波性能，不同碳化硅的表面曲率不同，其電荷聚集的能力也不同，通常曲率較小則容易聚集電荷。另外，不同厚度的涂層對(duì)吸波性能也有不同的影響。