晶振的負載電容

晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。

一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負載電容 等效輸入電容=22pF。

晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型

無源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器），北京晶宇興科技有限公司生產(chǎn)各式晶體晶振，溫度可達175度，性能穩(wěn)定，體積小，歡迎有需要的客戶，歡迎來電咨詢!

晶體振蕩器技術指標

（1）總頻差：在規(guī)定的時間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的頻差；

（2）頻率溫度穩(wěn)定度：在標稱電源和負載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的允許頻偏；

（3）頻率穩(wěn)定預熱時間：以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規(guī)定頻率允差所需要的時間；

（4）頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關系；

（5）頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調(diào)到規(guī)定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量；

（6）壓控頻率響應范圍：當調(diào)制頻率時，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關系；

（7）頻率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數(shù)表示整個范圍頻偏的可容許非線性度；

（8）單邊帶相位噪聲：偏離載波f處，一個相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比。有的技術人員幫助您選型，歡迎您前來咨詢！