氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見(jiàn)濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。常壓下純的 氧化鋯有三種晶型，低溫為單斜晶系，密度5.68g/cm3， 高溫為四方晶系，密度6.10g/cm3，更高溫度下為立方晶系，密度6.27g/cm3，三種晶型相互間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下：?jiǎn)涡盳rO2  →  四方ZrO2  →  立方ZrO2  →   熔體。

氧化鋯(YSZ)單晶是目前發(fā)現(xiàn)的抗輻照能力zui強(qiáng)的絕緣體材料，在輕水堆中可用作“燃燒”多余钚的惰性基材以及儲(chǔ)存核廢物的基體而倍受關(guān)注。

氧化鋯(YSZ)晶體技術(shù)參數(shù)。 晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點(diǎn): 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長(zhǎng)方法：弧熔法。

常溫下保持立方相的氧化鋯晶體，具有硬度高(莫氏硬度8~8.5)，折射率高(于6830?處，n≈2.149)，色散性強(qiáng)(~0.056)和化學(xué)穩(wěn)定性好等特性。氧化鋯(YSZ)晶體產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。