刻蝕機(jī)

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個重要指標(biāo)，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

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離子束刻蝕常見的效應(yīng)

刻蝕的理想結(jié)果是將掩模(mask)的圖形準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移到基片_上，尺寸沒有變化。由于物理濺射的存在，掩模本身的不陡直和濺射產(chǎn)額隨離子束入射角變化等原因，產(chǎn)生了刻面( Faceting)、槽底開溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現(xiàn)象，這些效應(yīng)的存在降低了圖形轉(zhuǎn)移精度。

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離子束刻蝕機(jī)

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進(jìn)行加工的離子銑。國內(nèi)應(yīng)用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機(jī)通常由屏柵和加速柵組成離子光學(xué)系統(tǒng)，其工作臺可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘gong基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉(zhuǎn)，如圖1所示。評價溝槽輪廓主要的參數(shù)有溝槽的開口寬度We、溝槽的刻蝕深度H、臺面的坡度角φ和溝槽底部的寬度Wb。我們常用的深寬比（Aspectratio）是指槽深H和槽開口寬度We的比值，本文中用R表示。深寬比是常用來作為衡量刻蝕工藝水平和刻蝕圖形好壞的評價參數(shù)。

離子束

1.蝕刻加工：離子蝕刻用于加工陀螺儀空氣軸承和動壓馬達(dá)上的溝槽，分辨率高，精度、重復(fù)一致性好。離子束蝕刻應(yīng)用的另一個方面是蝕刻圖形，如集成電路、光電器件和光集成器件等征電子學(xué)構(gòu)件。太陽能電池表面具有非反射紋理表面。離子束蝕刻還應(yīng)用于減薄材料，制作穿透式電子顯微鏡試片。2.離子束鍍膜加工：離子束鍍膜加工有濺射沉積和離子鍍兩種形式。離子鍍可鍍材料范圍廣泛，不論金屬、非金屬表面上均可鍍制金屬或非金屬薄膜，各種合金、化合物、或某些合成材料、半導(dǎo)體材料、高熔點材料亦均可鍍覆。