【磁控濺射鍍膜設(shè)備】行業(yè)前景怎樣 

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那麼磁控濺射鍍膜設(shè)備可以運(yùn)用于哪一方面呢？在硬塑鍍層中的運(yùn)用：例如切削刀具、模具和耐磨損抗腐蝕等零配件。在安全防護(hù)鍍層中的運(yùn)用：飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)的葉子、小車(chē)厚鋼板、散熱器等。在裝飾設(shè)計(jì)裝飾品上的運(yùn)用：手機(jī)套、表帶、眼鏡框、五金配件、裝飾品等鍍一層薄薄的膜。在光學(xué)薄膜行業(yè)中的運(yùn)用：增透膜、高原反應(yīng)膜、截至濾光片、防偽標(biāo)識(shí)膜等。在建筑玻璃層面的運(yùn)用：太陽(yáng)操縱膜、低輻射夾層玻璃、防霧防露和自清潔玻璃等。在太陽(yáng)能利用應(yīng)用領(lǐng)域：太陽(yáng)能發(fā)電集熱器、太陽(yáng)電池等。在集成電路芯片生產(chǎn)制造中的運(yùn)用：塑料薄膜變阻器、薄膜電容器、塑料薄膜溫度感應(yīng)器等。在信息內(nèi)容顯示信息應(yīng)用領(lǐng)域：液晶顯示屏、低溫等離子屏等。在信息內(nèi)容儲(chǔ)存應(yīng)用領(lǐng)域：磁信息內(nèi)容儲(chǔ)存、磁光信息內(nèi)容儲(chǔ)存等。在裝飾設(shè)計(jì)裝飾品上的運(yùn)用：手機(jī)套、表帶、眼鏡框、五金配件、裝飾品等鍍一層薄薄的膜。 

磁控濺射種類(lèi)

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘校帢O），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。電子光學(xué)制造行業(yè)行業(yè)中，其是這種非快熱式鍍一層薄薄的膜技術(shù)性，關(guān)鍵運(yùn)用在有機(jī)化學(xué)氣候堆積上。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問(wèn)題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入Ar和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕?。?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易，而實(shí)際操作困難。主要問(wèn)題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽(yáng)極，真空腔體表面，以及靶源表面。從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。其原理是一對(duì)靶源互相為陰陽(yáng)極，從而消除陽(yáng)極表面氧化或氮化。冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所必需，因?yàn)槟芰亢艽笠徊糠洲D(zhuǎn)為熱量，若無(wú)冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達(dá)一千度以上從而溶化整個(gè)靶源。

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直流磁控濺射技術(shù)

為了解決陰極濺射的缺陷，人們?cè)?0世紀(jì)開(kāi)發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。磁控濺射鍍膜機(jī)原理由此可見(jiàn)，濺射過(guò)程即為入射離子通過(guò)一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過(guò)程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來(lái)能量的1%，大部分能量則通過(guò)級(jí)聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動(dòng)。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。濺射鍍膜技術(shù)濺射鍍膜濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會(huì)存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對(duì)于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來(lái)說(shuō)，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對(duì)現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開(kāi)發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問(wèn)題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級(jí)別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對(duì)比情況。

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