由碳與氟反應(yīng)，或一氧4化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

 吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān)，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

四氟化碳是一種鹵代烴，化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時(shí)，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域，可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。

四氟化碳（CF4）早就是通過氟碳直接反應(yīng)法制得的，該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，后經(jīng)精餾而得成品。