常壓下純的 氧化鋯有三種晶型，低溫為單斜晶系，密度5.68g/cm3， 高溫為四方晶系，密度6.10g/cm3，更高溫度下為立方晶系，密度6.27g/cm3，三種晶型相互間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下：?jiǎn)涡盳rO2  →  四方ZrO2  →  立方ZrO2  →   熔體。

氧化鋯(YSZ)晶體技術(shù)參數(shù)。 晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點(diǎn): 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長(zhǎng)方法：弧熔法。

氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實(shí)際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機(jī)械、化學(xué)穩(wěn)定性好，價(jià)格較低因而得以廣泛應(yīng)用。氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。

常溫下， 氧化鋯只能是單斜相，當(dāng)用鋯鹽煅燒，達(dá)到650℃時(shí)，出現(xiàn)穩(wěn)定的四方相，繼續(xù)升高時(shí)四方相逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡毕?，再繼續(xù)升溫至830℃時(shí)， 氧化鋯又開始向四方相轉(zhuǎn)變，至1170℃時(shí)，完全轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?，溫度升?370℃時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?。氧化?YSZ)單晶陶瓷的強(qiáng)度與韌性都是以它的晶體結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的，因其特殊的晶體結(jié)構(gòu)才可以制成適用于各種惡劣環(huán)境的陶瓷零件。