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ASEMI解析肖特基勢壘二極管工作原理：

隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管。

SBD的結構及特點使其適合于在低壓、DA電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

肖特基二極管

      優(yōu)點：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復時間極短:        可達5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)

　常見ASEMI貼片封裝的肖特基型號：

　　BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23,0.3A

　　MBR0520L、MBR0540:SOD-123,0.5A

　　SS12、SS14:DO-214AC（SMA），1A

　　SL12、SL14:DO-214AC（SMA），1A

　　SK22:SK24:DO-214AA（SMB），2A

　　SK32:SK34:DO-214AB（SMC），3A

　　MBRD320、MBRD360:TO-252,3A

　　MBRD620CT、MBRD660CT:TO-252,6A

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK），10A

　　MBRB4045CT:TO-263（D2PAK），40A