北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢(shì)： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產(chǎn)量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時(shí)間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調(diào)整側(cè)壁角度 4. 耐溫可以達(dá)到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設(shè)計(jì)。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng)，使得用負(fù)膠和亮場(chǎng)掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。

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光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來越大。受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)全球光刻膠市場(chǎng)將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。光刻膠是整個(gè)光刻工藝的重要部分，也是國際上技術(shù)門檻較高的微電子化學(xué)品之一，主要應(yīng)用在集成電路和平板顯示兩大產(chǎn)業(yè)。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

NR77-20000PYRR5光刻膠公司

光刻膠存儲(chǔ)條件及操作防護(hù)

光刻膠是一種可燃液體，儲(chǔ)存條件應(yīng)符合對(duì)應(yīng)的法規(guī)，不要與強(qiáng)氧化劑混合，存放在通風(fēng)良好的地方，保持容器密閉，避免吸入蒸汽或霧氣，避免接觸眼睛、皮膚或衣服，操作后徹底清洗。

個(gè)人防護(hù)

眼睛：佩戴化學(xué)飛濺護(hù)目鏡。

皮膚：戴上適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)手套防止皮膚暴露。

服裝：穿戴合適的防護(hù)服防止皮膚暴露。

呼吸器：無論何時(shí)在工作環(huán)境下呼吸保護(hù)必須遵循中國職業(yè)安全健康管理局標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和ANSI美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)Z88.2的相關(guān)要求，或必須執(zhí)行歐洲呼吸防護(hù)EN 149的標(biāo)準(zhǔn)。