下游發(fā)展趨勢(shì)

光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場(chǎng)巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。通過(guò)在較高溫度下進(jìn)行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(lái)（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。2016年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場(chǎng)分別達(dá)到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長(zhǎng)9.0%和8.0%。預(yù)計(jì)2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)將分別達(dá)到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開(kāi)始試圖復(fù)一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。通過(guò)用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當(dāng)時(shí)分辨率5um，如今除可見(jiàn)光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。按照曝光波長(zhǎng)分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13。

NR77-20000PMSDS

光刻膠運(yùn)輸標(biāo)識(shí)及注意事項(xiàng)

標(biāo)簽上標(biāo)明的意思

R標(biāo)識(shí)

R10 YI燃。

S標(biāo)識(shí)

S16  遠(yuǎn)離火源-禁止吸煙。

S 24 避免接觸皮膚。

S 33對(duì)靜電放電采取預(yù)防措施。

S 9  將容器保持在通風(fēng)良好的地方。

水生毒性

通過(guò)自然環(huán)境中的化學(xué)、光化學(xué)和微生物降解來(lái)分解。一般不通過(guò)水解降解。300 ppm對(duì)水生生物是安全的。鹵化反應(yīng)可能發(fā)生在水環(huán)境中。