光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。近些年來，全球半導(dǎo)體廠商在中國大陸投設(shè)多家工廠，如臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認(rèn)可。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征，還需要相應(yīng)光刻機與之配對調(diào)試。國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

針對不同應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。

光刻膠編碼 HS編碼:	3707100001 [類注] | [章注] | [子目注釋]
中文描述:	不含銀的感光乳液劑 （CIQ碼：301:液體）
英文描述:	Non--0--silver light-sensitive emulsion agent
申報要素:	0.品牌類型；1.出口享惠情況；2.用途；放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。3.包裝；4.成分；5.是否含銀；6.品牌；7.型號；8.是否有感光作用（以下要素僅上海海關(guān)要求）9.GTIN；10.CAS
申報要素舉例:	/ 1.感光劑；2.用途:感光材料，用于噴墨制版機；3.包裝:瓶裝；4.成分:重氮樹脂94%以上；5.無品牌；6.無型號
單位:	千克

PR1-2000A1NR9 3000PY光刻膠報價

4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經(jīng)與光刻版對準(zhǔn)后，進行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）