下游發(fā)展趨勢(shì)

光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場(chǎng)巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場(chǎng)分別達(dá)到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長(zhǎng)9.0%和8.0%。預(yù)計(jì)2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)將分別達(dá)到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加

全球市場(chǎng)

目前，光刻膠單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模與海外巨頭公司營(yíng)收規(guī)模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務(wù)。但由于光刻膠技術(shù)門檻高，就某一光刻膠子行業(yè)而言，僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商有產(chǎn)品供應(yīng)。

由于光刻膠產(chǎn)品技術(shù)要求較高，中國(guó)光刻膠市場(chǎng)基本由外資企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品也基本出自日本和美國(guó)公司，包括陶氏化學(xué)、JSR株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。

而細(xì)化到半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)份額不足30%，與國(guó)際水平存在較大差距。LCD是非主動(dòng)發(fā)光器件，其色彩顯示必須由本身的背光系統(tǒng)或外部的環(huán)境光提供光源，通過(guò)驅(qū)動(dòng)器與控制器形成灰階顯示，再利用彩色濾光片產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)三基色，依據(jù)混色原理形成彩色顯示畫面。超過(guò)80%市場(chǎng)份額掌握在日本住友、TOK、美國(guó)陶氏、美國(guó)futurrex等公司手中，國(guó)內(nèi)公司中，蘇州瑞紅與北京科華實(shí)現(xiàn)了部分品種的國(guó)產(chǎn)化，但是整體技術(shù)水平較低，僅能進(jìn)入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。

在光刻膠的生產(chǎn)上，我國(guó)主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小， 2015年據(jù)統(tǒng)計(jì)我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9.75萬(wàn)噸，其中中低端PCB光刻膠產(chǎn)值占比為94.4%，半導(dǎo)體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時(shí)間與溫度應(yīng)適當(dāng)，如太長(zhǎng)或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會(huì)影響后面的顯影效果。

縱觀全球市場(chǎng)，光刻膠專用化學(xué)品生產(chǎn)壁壘高，國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈。 化學(xué)結(jié)構(gòu)特殊、保密性強(qiáng)、用量少、純度要求高、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、品質(zhì)要求苛刻，生產(chǎn)、檢測(cè)、評(píng)價(jià)設(shè)備投資大，技術(shù)需要長(zhǎng)期積累。

至今光刻膠專用化學(xué)品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國(guó)杜邦、美國(guó)futurrex、德國(guó)巴斯夫等化工寡頭壟斷。

PR1-2000A1PR1 1500A1光刻膠公司

4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機(jī)上，經(jīng)與光刻版對(duì)準(zhǔn)后，進(jìn)行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長(zhǎng)在光刻膠的敏感波段；

對(duì)準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對(duì)版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時(shí)間，由光源強(qiáng)度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進(jìn)行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）