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光刻膠介紹
光刻膠介紹
光刻膠(又稱光致抗蝕劑),是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學(xué)敏感性,其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝,可以將設(shè)計好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。因此光刻膠微細(xì)加工技術(shù)中的關(guān)鍵性化工材料,被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作。在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域,隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展,會在一定程度上增加對G線、I線的需求,利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。
正負(fù)光刻膠
正負(fù)光刻膠
光刻膠分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的,故此叫正膠,利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
一般來說線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠! 正性光刻膠比負(fù)性的精度要高,負(fù)膠顯影后圖形有漲縮,負(fù)性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度,正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率,但是薄負(fù)性膠會影響孔。同種厚度的正負(fù)膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌,正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。在光刻膠生產(chǎn)種類上,我國光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠,而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小,相關(guān)光刻膠主要依賴進(jìn)口。
PR1-1500A1NR29 25000P光刻膠公司
6,堅膜
堅膜也叫后烘,是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象,能使膠膜附著能力增強,康腐蝕能力提高。
堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min
7,顯影檢驗
光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡
小孔、小島。
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢:
- 優(yōu)異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質(zhì)期長達(dá)3 年
PC6-16000
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢:
- 優(yōu)異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質(zhì)期長達(dá)3 年
NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR9-6000PY 5.0μm -
12.2μm
Resist Thickness
NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm