光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個(gè)產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強(qiáng)，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。三、光刻膠涂覆（PhotoresistCoating）光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時(shí)間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對(duì)中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展

PC6-16000

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長達(dá)3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm

?Futurrex

提供先進(jìn)化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設(shè)在美國新澤西州，富蘭克林市,高速成長并超過20年連續(xù)盈利的跨國公司

公司業(yè)務(wù)覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲

基于多樣化的技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：微電子、光電子、LED、太陽能光伏、微機(jī)電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷

解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財(cái)富100強(qiáng)到以風(fēng)險(xiǎn)投資為背景的設(shè)備研發(fā)及制造公司

使命

目標(biāo)

提供特殊化學(xué)品和全新工藝來增加客戶的產(chǎn)能

策略

提供獨(dú)特的產(chǎn)品來優(yōu)化生產(chǎn)制程，以提高設(shè)備能效

領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過程中的整體性價(jià)比

工藝步驟的減少降低了成本和產(chǎn)生瑕疵的可能

增加客戶的產(chǎn)能和生產(chǎn)的效率

工藝減化

非同尋常的顯微構(gòu)造、金屬及介電層上的圖形轉(zhuǎn)換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

在生產(chǎn)過程中，不含有害溶劑

支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功