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光刻是整個(gè)集成電路制造過程中耗時(shí)長、難度大的工藝,耗時(shí)占IC制造50%左右,成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材,光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上,為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過程中,需在硅片上涂一層光刻膠,經(jīng)紫外線曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,在通過顯影后,被曝光的光刻膠將被去除,從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程,實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中,光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。
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光刻膠的未來發(fā)展
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由于光刻膠的技術(shù)壁壘較高,國內(nèi)光刻膠市場(chǎng)基本被國外企業(yè)壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠,基本被日本和美國企業(yè)占據(jù)。
國內(nèi)光刻膠生產(chǎn)商主要生產(chǎn)PCB光刻膠,面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模相對(duì)較小。國內(nèi)生產(chǎn)的光刻膠中,PCB光刻膠占比94%,LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠占比分別僅有3%和2%。
國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量,且差額逐年擴(kuò)大。由于國內(nèi)光刻膠起步晚,目前技術(shù)水平相對(duì)落后,生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產(chǎn)品,TFT-LCD、半導(dǎo)體光刻膠等高技術(shù)壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能很少,仍需大量進(jìn)口,從而導(dǎo)致國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量。
光刻膠分類
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截?cái)喑啥替湻肿?;?fù)膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負(fù)膠的曝光部分被保留。
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光刻膠:半導(dǎo)體技術(shù)壁壘的材料之一
光刻是整個(gè)集成電路制造過程中耗時(shí)長、難度大的工藝,耗時(shí)占IC制造50%左右,成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材,光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻工藝有著重要影響。
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