光刻膠國內(nèi)的研發(fā)起步較晚

光刻膠的研發(fā)，關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學(xué)品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個下游終端領(lǐng)域，需求較為分散。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑，開發(fā)所涉及的技術(shù)難題眾多，需從低聚物結(jié)構(gòu)設(shè)計和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細(xì)度控制和穩(wěn)定、產(chǎn)品配方設(shè)計和優(yōu)化、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調(diào)整等方面進(jìn)行調(diào)整。因此，要自主研發(fā)生產(chǎn)，技術(shù)難度非常之高。

在光刻膠研發(fā)上，我國起步晚，2000年后才開始重視。近幾年，雖說有了快速發(fā)展，但整體還處于起步階段。事實上，工藝技術(shù)水平與國外企業(yè)有著很大的差距，尤其是材料及設(shè)備都仍依賴進(jìn)口。

NR9-3000PYPR1 2000A1光刻膠廠家

二、預(yù)烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。

底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

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(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內(nèi)的金屬含量、膠的可應(yīng)用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點(diǎn)。