離子屬刻蝕機(jī)的注意事項(xiàng)

創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

#.在設(shè)備工作時(shí),禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實(shí)際使用功率不能超過(guò)較大限制#.檢查設(shè)備時(shí)，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場(chǎng)地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無(wú)關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長(zhǎng)期停放時(shí)注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開(kāi)一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過(guò)夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長(zhǎng)時(shí)間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

反應(yīng)離子刻蝕的原理

在反應(yīng)離子刻蝕中，氣體放電產(chǎn)生的等離子體中有大量化學(xué)活性的氣體離子，這些離子與材料表面相互作用導(dǎo)致表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物。這些揮發(fā)產(chǎn)物隨真空抽氣系統(tǒng)被排走。隨著材料表層的“反應(yīng)-剝離-排放”的周期循環(huán)，材料被逐層刻蝕到特定深度。除了表面化學(xué)反應(yīng)外，帶能量的離子轟擊材料表面也會(huì)使表面原子濺射，產(chǎn)生一定的刻蝕作用。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。

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離子束刻蝕的入射角

在離子束刻蝕過(guò)程中，選擇合適的入射角可以提高刻蝕效率，這只是一個(gè)方面。另一個(gè)方面是靠合適的入射角度控制刻蝕圖形的輪廓。下圖給出了不同角度的刻蝕結(jié)果。

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離子束刻蝕機(jī)

離子束技術(shù)的應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、生物、材料和信息等許多學(xué)科的交叉領(lǐng)域。離子束加工在許多精密、關(guān)鍵、高附加值的加工模具

等機(jī)械零件的生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。一些國(guó)家用于軍事裝備的建設(shè)上，如改善蝸輪機(jī)主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機(jī)閥門和活塞的性能。離子注入半導(dǎo)體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細(xì)加工的關(guān)鍵工藝，導(dǎo)致出現(xiàn)了80年代集成電路產(chǎn)業(yè)的騰飛。

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