IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃?。買方有權(quán)要求賣方委托第三方進(jìn)行有關(guān)參數(shù)的測(cè)試，以確保出廠測(cè)試的參數(shù)真實(shí)有效。 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問(wèn)題。

?航空、電子信息等領(lǐng)域——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?機(jī)車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)

?現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新

?型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，

?以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

?優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。

技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象

*1）功能

GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。

*2）測(cè)試對(duì)象

被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)

測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。

關(guān)斷時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、關(guān)斷時(shí)間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時(shí)間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關(guān)斷耗散功率Pon：10W～250kW 關(guān)斷時(shí)間測(cè)試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;