壓阻式壓力傳感器

壓力傳感器的分類 壓力傳感器的種類繁多，如電阻應變片壓力傳感器、半導體應變片壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、電感式壓力傳感器、電容式壓力傳感器、諧振式壓力傳感器等。

目前應用較為廣泛的壓力傳感器有：擴散硅壓阻式壓力傳感器、陶瓷壓阻壓力傳感器、濺射薄膜壓力傳感器、電容壓力傳感器、耐高溫特性的藍寶石壓力傳感器。但應用為廣泛的是壓阻式壓力傳感器，它具有極低的價格和較高的精度以及較好的線性特性。

各種壓力傳感器的原理  壓阻式壓力傳感器這種傳感器采用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上,制成硅壓阻芯片,并將此芯片的周邊固定封裝于外殼之內(nèi)，引出電極引線。 提到壓阻式傳感器，首先得講到它的原理——壓阻效應。

壓阻效應是用來描述材料在受到機械式應力下所產(chǎn)生的電阻變化。不同于壓電效應，壓阻效應只產(chǎn)生阻抗變化，并不會產(chǎn)生電荷。

當壓力變化時，電阻R1,R2,R3,R4發(fā)生變化，從而引發(fā)加載在電阻中間的電壓發(fā)生變化，這種變化反映出壓力值。

壓阻式傳感器又稱為擴散硅壓阻式壓力傳感器，被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個對應于這一壓力的標準測量信號。

激光雷達傳感器用于自動駕駛成本下降26%

據(jù)外媒報道，韓國汽車供應商Carnavicom在2020年CES展上展示了其研發(fā)的激光雷達傳感器。Carnavicom主要為汽車市場提供高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）組件。

（圖片來源：Carnavicom）

由于在本地采購無刷直流電機（BLDC）、激光二極管（LD）和雪崩光電二極管（APD）等零部件和關(guān)鍵部件，Carnavicom的新款激光雷達掃描傳感器的平均成本下降了26％，從而導致激光雷達傳感器能夠以合理的成本集成至其他激光雷達產(chǎn)品和應用中。放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)等組件(這些組件會產(chǎn)生它們自己的誤差)是不可或缺的。

Carnavicom展示了先進的VL－AS16激光雷達傳感器，這是一款適用于自動駕駛環(huán)境的16通道掃描裝置。此外，Carnavicom還展示了研發(fā)的3通道激光雷達，而且宣布計劃推出價格合理、波長為1550nm的固態(tài)激光雷達裝置以及多功能工業(yè)專用激光雷達。在激光雷達傳感器的幫助下，通過檢測前方的行人和騎自行車的人等障礙物，自動駕駛汽車可以安全行駛，并避免發(fā)生碰撞事故。接近傳感器，是指代替限位開關(guān)等接觸式檢測方式，以無需接觸檢測對象進行檢測為目的的傳感器的總稱。

Carnavicom公司的首席執(zhí)行官Jeremy Chong表示：“我們一直在研發(fā)先進激光雷達傳感器，表明了我們始終把車輛乘員和行人的安全放在首位?！弊?001年成立以來，Carnavicom公司一直在發(fā)展壯大。為了部署ADAS技術(shù)，2019年，Carnavicom公司投資了40億韓國打造SMT生產(chǎn)線，希望能夠使激光雷達傳感器的年產(chǎn)能超過180萬臺。分析指出由于芯片管腳密度的不斷增加以及在高頻電路中應用的需要,傳統(tǒng)的組裝式探卡將不能適應未來的測試要求。

汽車傳感器

空氣流量計/進氣壓力傳感器，節(jié)氣門位置zd傳感器，水溫傳感器，曲軸位置傳感器，氧傳感器，爆震傳感器，車速傳感器現(xiàn)在的車子基本上都有以上這些傳感器，越的車子傳感器也就多，前六個傳感器是保證汽車正常運行基本的條件。進氣壓力傳感器：檢測進氣歧管內(nèi)的壓力的大小，給ECU一個控制噴油脈寬的基準信號?？諝饬髁坑嫞簷z測進入發(fā)動機的空氣量，給ECU一個控制噴油脈寬基準信號。曲軸位置傳感器：檢測上止點信號，曲軸轉(zhuǎn)速信號，控制點火的各缸上版止點信號，控制順序噴油的一缸上止點信號。接近傳感器的振動器振動及停振的變化被后級放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關(guān)信號，觸發(fā)驅(qū)動控制器件，因此達到接近傳感器的非接觸式之檢測的目的。

節(jié)氣門位置傳感器：通過檢測節(jié)氣門的開度，提供給ECU一個作為斷油，控制空燃比，修正點火提前角的基準信號。水溫傳感器：檢測發(fā)動機冷卻水的溫度，ECU根據(jù)水溫修正噴油量，點火提前角。氧傳感器：檢測排出廢氣中氧氣的含量，修正噴油量，使其保持在權(quán)理論值。藍寶石系由單晶體絕緣體元素組成，不會發(fā)生滯后、疲勞和蠕變現(xiàn)象。

CMOS傳感器你知道多少

CMOS傳感器采用普通半導體電路常用的CMOS工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、本錢低等特性，近幾年在寬動態(tài)、低照度方面展開疾速。CMOS即互補性金屬氧化物半導體，主要是應用硅和鍺兩種元素所做成的半導體，經(jīng)過CMOS上帶負電和帶正電的晶體管來完成基本的功用。這兩個互補效應所產(chǎn)生的電流即可被處置芯片記載和解讀成影像。GMR效應來源于載流電子在不同的自旋狀態(tài)下與磁場的作用不同導致的電阻變化。