封裝測試設(shè)備的芯片載體封裝

　　80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝，其中有陶瓷無引線芯片載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線芯片載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package)， 以0.5mm焊區(qū)中心距，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。封裝技術(shù)的運用：封裝不僅僅是制造過程的后一步，它正在成為產(chǎn)品創(chuàng)新的催化劑。QFP的特點是: 1.適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線; 2.封裝外形尺寸小，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用; 3.操作方便; 4.可靠性高。

扇入和扇出型封裝流程

這里需要說明的是，為提高晶圓級封裝的可靠性，目前存在多種焊球裝配工藝，其中包括氮化物層上焊球、聚合物層上焊球、銅柱晶圓級封裝等等。扇出型封裝是先在人造模壓晶圓片上重構(gòu)每顆裸片，“新”晶圓片是加工RDL布線層的基板，然后按照普通扇入型晶圓級封裝后工序，完成后的封裝流程。重點是RDL層/聚合物層上用UBM層裝配焊球的方法。扇入型標(biāo)準(zhǔn)封裝裸片是直接暴露于空氣中(裸片周圍無模壓復(fù)合物)，人們擔(dān)心這種封裝非常容易受到外部風(fēng)險的影響。優(yōu)化晶片切割工藝是降低失效風(fēng)險的首要措施。

封裝的分類：
SIP (System In a Package)：系統(tǒng)級封裝，將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能。對比MCM，3D立體化可以體現(xiàn)在芯片堆疊和基板腔體上。

WLP(Wafer Level Packaging)：晶圓級封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進和提高的CSP，直接在晶圓上進行大多數(shù)或是全部的封裝測試程序，之后再進行切割制成單顆組件的方式。