1945年以來，氦質譜檢漏儀的制造工藝已經(jīng)有了很大的改進。1947年，檢漏儀的靈敏度均為10-4Pa.L/S；到1970年, 提高到可檢測10-7Pa.L/S的漏率；而今天已能能夠檢測到10-9Pa.L/s的漏率。與此同時, 檢漏儀的體積和質量也大大降低。90年代初，小的氦質譜檢漏儀的體積只有0.05m3重約38.5Kg。新型的氦質譜檢漏儀中已經(jīng)沒有手動閥?，F(xiàn)已采用自控閥自動調(diào)節(jié)運轉時的誤差。同時用渦輪分子泵取代了油擴散泵, 以消除可能造成的油返流。計算機技術也在氦質譜檢漏儀中獲得應用。運轉、控制和輸出數(shù)據(jù)均由計算機自動操作完成。典型的示波器已由陰極射線管顯像屏所代替。整個操作只須按各種按鈕自動進行。博為研發(fā)生產(chǎn)的新型檢漏儀現(xiàn)在已經(jīng)滲透到航空航天、新能源、電子器件、閥門、電力、制冷、家電等行業(yè)。氦質譜檢漏儀在未來的歲月中還將在許多的工業(yè)領域中得到新的應用

年泄漏率大的標準漏孔，要注意經(jīng)常校準。如果發(fā)現(xiàn)異常，要用外置漏孔校準。注意使用的環(huán)境。標準漏孔的生產(chǎn)、檢測，都是在20-25℃的室溫下進行。尤其有些標準漏孔，對溫度特別敏感。溫度每變化1℃，標準漏孔的漏率就有3%以上的誤差。例如，夏天，室溫達到30℃，這種標準漏孔的漏率誤差增加30%。

高壓強下檢漏：檢漏口壓強可高達數(shù)百帕左右，對檢測大系統(tǒng)和有大漏的工件很有益。自動化程度高：自動校準氦峰，自動調(diào)節(jié)零點，量程自動轉換，自動數(shù)據(jù)處理，可外接打印機。整機由微機控制，一個按鈕即可完成一次的全檢漏過程。有些生產(chǎn)的檢漏儀，可采用干式泵，達到無油蒸氣的效果，為無油系統(tǒng)及芯片等半導體器件的檢漏，提供了有利條件。

氦質譜檢漏儀的結構和工作原理

氦質譜檢漏儀是180°磁偏轉型的質譜分析計，其基本原理是根據(jù)離子在磁場中運動時，不同質荷比的離子具有不同的偏轉半徑來實現(xiàn)不同種類離子的分離。檢漏儀主要由質譜室、真空系統(tǒng)及電氣控制部分組成。檢漏工作時先打開抽空閥前級泵對檢漏接口抽真空，當真空度P1 優(yōu)于200 Pa 時，打開入口閥1、2，關閉抽空閥，氦氣將逆著分子泵的抽氣方向進入質譜室中被檢測出來，此時檢漏儀的小可檢漏率為10- 10 Pa·m3/s。前級泵繼續(xù)對檢漏接口抽真空，當P1降至20 Pa 時，入口閥2 關閉，入口閥3 打開，分子泵的高抽速用于抽空試件，檢漏儀的反應時間縮短，此時檢漏儀的小可檢漏率為10- 12 Pa·m3/s[1]。

氦質譜檢漏的具體方法——背壓法

背壓法是真空系統(tǒng)檢漏中的基礎方法之一，結合了壓力檢漏與真空檢漏兩者的特點。氦質譜檢漏中，背壓法的應用原理也是一樣的，今天就和華爾升智控一起看下氦質譜檢漏方法中的背壓法。

背壓氦質譜檢漏法是一種適用于容積較小被檢件的檢漏方法，例如半導體一類真空密封器件的無損檢漏。它的檢漏過程與其他背壓法一樣包括3個步驟：充壓、凈化、檢漏。

充壓過程中，被檢件在充有高壓氦氣的容器中存放一定時間，使氦氣經(jīng)漏孔進入被檢件內(nèi)部，并隨著時間的增長，其內(nèi)部的充氣壓力及氦分壓會逐漸；進入凈化階段后，用干燥氮氣等沖刷，或通過靜置手段去除吸附在被檢件外表面的氦氣；將被檢件放入真空室并將真空室抽成真空狀態(tài)，利用壓差作用使被檢件內(nèi)部的氦氣流出進入檢漏儀，檢漏儀輸出指示判定漏孔的存在及其漏率。

相信不少人可以看出背壓法不適合用于有大漏孔的被檢件。因為如果漏孔過大，在凈化階段，充入被檢件內(nèi)部的氦氣會流失得很快，凈化的時間越長，流失得就越嚴重，會導致檢漏儀的輸出指示降低，造成漏孔漏率很小的假象，甚至檢測不出漏孔。因此在使用背壓氦質譜檢漏法時，除了避免用于大漏孔的被檢件檢漏外，還要注意適當充氣壓力、延長在高壓氦氣中的浸泡時間，同時縮短凈化時間，來提高檢漏靈敏度。