.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點(diǎn)在后級(jí)濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級(jí)繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對(duì)的來說是有一定參考價(jià)值的。

35.傳導(dǎo)整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個(gè)參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。 37.關(guān)于PCB碰到的問題，如圖，為什么99SE畫板覆銅填充的時(shí)候填不滿這個(gè)位置？像是有死銅一樣D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo)，線屏蔽主要針對(duì)輻射，當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候，有可能你的輻射會(huì)差，這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會(huì)快很多。 EMI整改技巧之一 39.測試輻射的時(shí)候，多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。


47.PCB的熱點(diǎn)區(qū)域一定要遠(yuǎn)離輸入、輸出端子，防止噪聲源串到線上導(dǎo)致EMI變差，在不得已而為之時(shí)，可增加地線或其它屏蔽方式進(jìn)行隔離，如下圖增加了一條地線進(jìn)行有效隔離。 需注意這條地線的安全距離。 48.驅(qū)動(dòng)電阻盡量靠近MOS、電流采樣的電阻盡量靠近芯片，避免產(chǎn)生其它看不到的后果。PCB布局鐵律 49.分享一個(gè)輻射整改案例，一個(gè)長條形散熱片有2個(gè)腳，2只腳都接地，輻射硬是整不過，后來把其中一只腳懸空，輻射頻段變好。后面分析原因是2只腳接地會(huì)產(chǎn)生磁場回路。這個(gè)整改花了很多錢 50.配有風(fēng)扇的電源，PCB布局要考慮風(fēng)路。一定要讓風(fēng)跑出去 51.棒型電感兩條腿之間，切記，切記，切記，禁止走弱信號(hào)走線，否則發(fā)生的意外你都找不到原因。


理由：開關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長短一至，焊盤孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長是一樣長的，當(dāng)兩個(gè)焊盤孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號(hào)會(huì)通過AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測到引起EMI問題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性