紡織廢氣治理工藝介紹

利用特1制的高能UV紫外線光束照射惡臭氣體，裂解惡臭氣體的分子鍵，降解轉(zhuǎn)變?yōu)榈头肿踊瘜W(xué)物，如二氧化碳和水等物質(zhì)。

利用高能臭氧分解空氣中的氧分子產(chǎn)生游離氧，即活性氧，因游離氧所攜正負(fù)電子不平衡所以需與氧分子結(jié)合，進(jìn)而產(chǎn)生臭氧，使呈游離狀態(tài)的污染物分子與臭氧氧化結(jié)合成小分子無害或低害的化合物。如CO2、H2O 等。 UV O2→O- O*(活性氧)O O2→O3(臭氧)。??

除惡臭：能去除揮發(fā)性有機(jī)物(VOC)及各種惡臭味，脫臭效率比較高可達(dá)99%以上。??

無需添加任何物質(zhì)：只需要設(shè)置相應(yīng)的排風(fēng)管道和排風(fēng)動力。??

適應(yīng)性強(qiáng)：可適應(yīng)高濃度，大氣量，可每天24小時連續(xù)運(yùn)作，運(yùn)行穩(wěn)定。

廠家處理有機(jī)廢氣和毒氣的處理方法

現(xiàn)在，國內(nèi)治理有機(jī)廢氣和毒性氣體的技術(shù)是差不多的，因此，對于，這兩種廢氣治理技術(shù)我們合并討論。

現(xiàn)在，半導(dǎo)體制造過程中排放的含有有機(jī)成分的廢氣(voc)通常采用直接焚燒、活性炭吸附、生物氧化等方法進(jìn)行處理。但這3種方法都有一定的弊端：

低濃度大風(fēng)量的有機(jī)廢氣直接焚燒會造成大量的燃料消耗和不必要的污染，只有較高濃度的有機(jī)廢氣才建議直接焚燒，半導(dǎo)體制造的有機(jī)廢氣排放特點(diǎn)就是濃度低、風(fēng)量大，因此必須考慮將有機(jī)廢氣濃縮后再進(jìn)行焚燒處理。

活性碳吸附的方法，由于其材料特性，存在易1燃燒、水分敏感度高、脫附后殘留負(fù)荷高等缺點(diǎn)，在半導(dǎo)體行業(yè)基本不再使用。

生物氧化技術(shù)作為一種較新的處理技術(shù)，還有待在處理大風(fēng)量方面做進(jìn)一步的研究和發(fā)展。

半導(dǎo)體行業(yè)有機(jī)廢氣和毒氣的來源

半導(dǎo)體制造工藝產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)廢氣，主要來源于光刻、顯影、刻蝕及擴(kuò)散等工序，在這些工序中要用有機(jī)溶液（如異丙1醇）對晶片表面進(jìn)行清洗，其揮發(fā)產(chǎn)生的廢氣是有機(jī)廢氣的來源之一；同時，在光刻、刻蝕等過程中使用的光阻劑（光刻膠）中含有易揮發(fā)的有機(jī)1溶劑，如醋酸丁酯等，在晶片處理過程中也要揮發(fā)到大氣中，是有機(jī)廢氣產(chǎn)生的又一來源。

與半導(dǎo)體制造工藝相比，半導(dǎo)體封裝工藝產(chǎn)生的有機(jī)廢氣較為簡單，主要為晶粒粘貼、封膠后烘烤過程產(chǎn)生的烘烤廢氣。

含毒氣性廢氣，其來源為化學(xué)氣相沉積、干蝕刻機(jī)、擴(kuò)散、離子布值機(jī)及磊晶等制程時所產(chǎn)生。主要成分是磷1化氫、shen化氫、氯1氣等。

工業(yè)廢氣除臭方法

光解法，利用UV光解凈化設(shè)備發(fā)出特1制的高能UV紫外線光束照射惡臭氣體，裂解H2S、硫化物、VOC類、ben、甲ben、二甲ben的分子鏈結(jié)構(gòu)，使有機(jī)或無機(jī)高分子惡臭化合物分子鏈，在高能紫外線光束照射下，降解轉(zhuǎn)變成低分子化合物，如CO2、H2O等。利用高能UV光束裂解惡臭氣體中細(xì)菌的分子鍵，破壞細(xì)菌的核酸（DNA），再通過臭氧進(jìn)行氧化反應(yīng)，徹底達(dá)到脫臭及殺滅細(xì)菌的目的。