涂層技術(shù)

增強型磁控陰極弧：陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過濾陰極弧：過濾陰極電弧(FCA)配有的電磁過濾系統(tǒng)，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈，經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結(jié)合力很強。

采用化學(xué)氣相沉積處理時，應(yīng)注意以下問題：

（1）要考慮模具銳角部分的凸起變形

由于涂層與基體的線脹系數(shù)不同，模具棱角處容易產(chǎn)生應(yīng)力集中，基材會被擠出形成凸起。可以采取的解決方法是：將銳角處加工成圓弧狀，或是估計凸起變形量的大小，預(yù)先加工成錐形。

（2）CVD沉積溫度高而帶來的尺寸和形狀變形

其變形程度取決于所選用的材料、形狀、沉積溫度、涂層厚度以及預(yù)備熱處理等。

在CVD處理過程中，尺寸變形小的材料是硬質(zhì)合金及含Cr高的不銹鋼系合金；沖壓加工領(lǐng)域使用的模具材料主要限于合金工具鋼、冷作模具鋼（Cr12MoV）、硬質(zhì)合金等，其中快冷淬透鋼，由于快冷時容易產(chǎn)生翹曲、扭曲等變形，所以不宜進行CVD處理；而高速鋼是熱處理膨脹較大的鋼種，使用時必須充分估計其膨脹變形量。

飾品納米鍍膜設(shè)備

以下是制備的必要條件：

①  在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室；

② 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；

③ 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。

CVD技術(shù)是作為涂層的手段而開發(fā)的，但不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂·層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域，其工藝成本具體而定。

物理氣相沉積涂層設(shè)備，該設(shè)備包括耐高壓真空爐腔、轉(zhuǎn)爐架、真空系統(tǒng)、陰極電弧系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、高溫軸承等，同時采用開發(fā)的先進的真空磁控陰極電弧技術(shù)，將具有超高硬度、更強結(jié)合力、均勻一致的納微米超硬薄膜運用于刀具、各類模具以及機械零部件表面，壽命提高達到3-10倍以上。

研究制備的各類PVD涂層包括高硅涂層、高鋁涂層（氮鋁化鈦）、Cr-Al涂層（AlCrN）、TiCN（氮碳化鈦）涂層、TiN（氮化鈦）涂層、類金剛石（DLC）涂層等。涂層具有光滑、致密、硬度高、耐高溫、抗磨損、防氧化等特點，能夠進行批量和工業(yè)化生產(chǎn)應(yīng)用。