化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deition,簡(jiǎn)稱(chēng)CVD），也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮儯瑢儆谝环N薄膜技術(shù)。常見(jiàn)的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積（NPCVD），低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學(xué)氣相沉積（APCVD）。

鍍膜機(jī)工藝在平板顯現(xiàn)器中的運(yùn)用一切各類(lèi)平板顯現(xiàn)器都要用到各品種型的薄膜，并且簡(jiǎn)直一切類(lèi)型的平板顯現(xiàn)器材都需求運(yùn)用ITO膜，以滿(mǎn)意通明電器的請(qǐng)求。能夠毫不夸張的說(shuō)：沒(méi)有薄膜技能就沒(méi)有平板顯現(xiàn)器材。

金屬鈀及其合金具有很強(qiáng)的氫氣吸附能力和特殊的選擇滲透能力, 是理想的氫氣儲(chǔ)存和凈化材料 。目前, 通常使用整體鈀合金或鍍鈀等方法制造氫凈化設(shè)備。近年來(lái) ,有研究者嘗試采用化學(xué)氣相沉積法制備鈀的薄膜或薄層材料 , 他們選用分解溫度很低的金屬有機(jī)化合物作為沉積鈀的源物質(zhì), 他們是:烯丙基[β-酮] Pd(Ⅱ)、Pd(η3 -C 3 H 5 )(η 5-C 5 H 5 )和 Pd(η3-C 3 H 5 )(CF 3 COCHCOCF 3 )等。采用化學(xué)氣相沉積法可以制備高純度的鈀薄膜 。

當(dāng)考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時(shí)，該方法涉及純粹的物理過(guò)程，其中目標(biāo)充當(dāng)包含待沉積材料的蒸發(fā)源，該材料用作陰極。請(qǐng)注意，系統(tǒng)會(huì)根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料。通過(guò)在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突，該粒子插入反應(yīng)器中，旨在通過(guò)產(chǎn)生等離子體來(lái)加速粒子。該等離子體穿過(guò)沉積室，在反應(yīng)器的中間位置更強(qiáng)。連續(xù)壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對(duì)基底的粘附力