PVD是物理氣相沉積技術(shù)的簡稱，是指在真空條件下，采用物理的方法將材料（俗稱靶材或膜料）氣化成氣態(tài)分子、原子或離子，并將其沉積在工件形成具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，常見的PVD沉積技術(shù)有：蒸發(fā)技術(shù)、濺射技術(shù)、電弧技術(shù)。

目前,提高NbFeB永磁材料耐腐蝕性能的方法有添加合金元素和外加防護性鍍層,但主要以添加防護性鍍層(金屬鍍層、有機物鍍層和復合鍍層)為主。蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。防護性鍍層可以阻礙腐蝕相與基體之間的相互接觸從而減緩磁體的腐蝕。添加鍍層的方法有電鍍、化學鍍、物理氣相沉積等。

國內(nèi)外研究人員一直致力于開發(fā)取代電鍍的表面防護技術(shù)的研究,物理氣相沉積(PVD)技術(shù)作為一種環(huán)境友好技術(shù),具有很多其他技術(shù)所不具備的特點,通過控制其工藝參數(shù)可以得到晶粒細小、厚度均勻、膜基結(jié)合力優(yōu)異的鍍層;同時由于PVD是一種干法鍍技術(shù),可以避免濕法鍍時酸性或堿性電解質(zhì)溶液殘留在磁體孔隙內(nèi)和電鍍過程中磁體吸氫而導致鍍層脆裂的缺點。首先，被鍍膜材料表面肯定是有灰塵的，在盡量減小材料表面灰塵的前提下，我們還應當注意以下幾點：1、真空鍍膜設(shè)備使用一段時間后，必須要對設(shè)備進行清潔維護。然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒有大規(guī)模生產(chǎn)應用。

鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應用 晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢姎庀喑练e術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。