離子鍍是在真空蒸發(fā)鍍和濺射鍍膜的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種鍍膜技術(shù)，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領(lǐng)域，整個(gè)氣相沉積過(guò)程都是在等離子體中進(jìn)行的?！　?

全SUS304不銹鋼機(jī)身，隱藏式雙層冷卻水套設(shè)計(jì)　　

合理配備多套全新研制的離子弧源，有效保障弧源濺射的穩(wěn)定性與均勻性　　

采用多路進(jìn)氣系統(tǒng)，精準(zhǔn)控制氣體流量，滿足您多種化合物膜層需求。　　

裝載大功率脈沖偏壓電源，極大提高電粒子能量，從而獲得的膜層結(jié)合力和光潔度　　

采用創(chuàng)新工藝制造，精益求精，通過(guò)歐盟CE和ISO質(zhì)量管理體系認(rèn)證；

1、真空鍍膜工藝在信息存儲(chǔ)范疇中的運(yùn)用薄膜資料作為信息記載于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：因?yàn)楸∧ず鼙∧軌蚴韬鰷u流損耗；磁化回轉(zhuǎn)極為敏捷；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀況簡(jiǎn)單保持等。為了更精細(xì)地記載與存儲(chǔ)信息，必定要選用鍍膜技能。

2、真空鍍膜工藝在傳感器方面的運(yùn)用在傳感器中，多選用那些電氣性質(zhì)相關(guān)于物理量、化學(xué)量及其變化來(lái)說(shuō)，極為敏感的半導(dǎo)體資料。此外，其中大多數(shù)運(yùn)用的是半導(dǎo)體的外表、界面的性質(zhì)，需求盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低報(bào)價(jià)制造、因而選用薄膜的狀況許多。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據(jù)使用的電離電源的不同，導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳?xì)錃怏w在離子源中被離化成等離子體，在電磁場(chǎng)的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過(guò)調(diào)整加在等離子體上的電壓來(lái)控制。碳?xì)潆x子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結(jié)合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積超薄及多層結(jié)構(gòu)，工藝控制精度可達(dá)幾個(gè)埃，并可將工藝過(guò)程中的顆料污染所帶來(lái)的缺陷降至。

在真空度較高的環(huán)境下，通過(guò)加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料以原子、分子或離子的形式逸出沉積物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉積形成薄膜的技術(shù)。.PVD大家族里主要有三位成員：真空蒸發(fā)沉積技術(shù)（蒸鍍）；濺射沉積技術(shù)；離化PVD技術(shù)。

蒸鍍是在真空環(huán)境下，以各種加熱方式賦予待蒸發(fā)源材料以熱量，使源材料物質(zhì)獲得所需的蒸汽壓而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)，所發(fā)射的氣相蒸發(fā)物質(zhì)在具有適當(dāng)溫度的基片上不斷沉積而形成薄膜的沉積技術(shù)。