電光調(diào)制器的設(shè)計(jì)與選擇

調(diào)制晶體對(duì)電光調(diào)制的效果影響顯著，在選擇晶體時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：光學(xué)性能好，折射率均勻，吸收色散損耗小，透明度高，電光系數(shù)大，物理性能優(yōu)越等等。在整體光通信的光發(fā)射、傳輸、接收過程中，光調(diào)制器被用于控制光的強(qiáng)度，其作用是非常重要的。目前較常用的晶體材料包括鈮酸鋰和KDP類晶體，由于KDP類晶體的物理性能不佳，容易發(fā)生潮解，因此其調(diào)制性能往往受到環(huán)境限制，而鈮酸鋰晶體則具有優(yōu)越的透光性和物理性能，是電光調(diào)制晶體設(shè)計(jì)的理想材料。

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選擇電光調(diào)制器推薦康冠光電

康冠光電在售的電光調(diào)制器，采用先進(jìn)的鈮酸鋰質(zhì)子交換工藝和鈦擴(kuò)散工藝，可以實(shí)現(xiàn)相位調(diào)制和強(qiáng)度調(diào)制，具有高調(diào)制帶寬、低插入損耗、低半波電壓、高消光比等特點(diǎn)，在性能參數(shù)上可以取代國外調(diào)制器，性價(jià)比高，能夠滿足客戶在高速光通信、光纖傳感、微波光子學(xué)、量子信息、激光調(diào)制等領(lǐng)域的應(yīng)用，此外還可根據(jù)用戶需求定制特殊結(jié)構(gòu)和參數(shù)的調(diào)制器產(chǎn)品。電光效應(yīng)即當(dāng)把電壓加到電光晶體上時(shí)，電光晶體的折射率將發(fā)生變化，結(jié)果引起通過該晶體的光波特性的變化，實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的相位、幅度、強(qiáng)度以及偏振狀態(tài)的調(diào)制。

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電光調(diào)制器系列

850nm電光強(qiáng)度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強(qiáng)度調(diào)制器采用先進(jìn)的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點(diǎn)，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時(shí)間基準(zhǔn)、脈沖發(fā)生器、量子光學(xué)等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強(qiáng)度調(diào)制器     

LiNbO3強(qiáng)度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中。基于MZ推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計(jì)的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達(dá)、光纖傳感等領(lǐng)域。