電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。

6、加工工藝小圓圈該怎樣判？ 

人們檢測處未作退級解決，假如發(fā)覺小圓圈的半經(jīng)超出1.6mm立即向主管意見反饋或告之品管部，PECVD處會立即將高純石墨舟換下來 

7、隱裂片怎樣造成？怎樣判？ 

大部分是原料的難題，另一個(gè)是影片在外擴(kuò)散高溫反映后內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生撞擊。在多芯片里，一些隱裂片裂縫并不是很長，能夠按文檔規(guī)定作需切角。 

8、空氣氧化的電池片怎樣判？ 

如果不是將其風(fēng)干，依據(jù)空氣氧化后得色調(diào)判。（淡黃色） 

9、怎樣了解跑模產(chǎn)生在哪兒一條？ 

以料漿的色調(diào)來判，第二條豫第三道的料漿是不會改變的，各自是鋁漿和銀漿，色調(diào)各自為深灰色和乳白色。一層有將會是銀漿或銀鋁漿，銀鋁漿是灰白，另一個(gè)，要看漏漿的部位。

10、對斷開未超出2mm的電池片，判斷不相同？ 先依照文檔判斷是不是超出規(guī)定的總數(shù)，如果不是，按斷開的顯著水平及部位。

電池片的制作工藝

外擴(kuò)散種類 

1.穩(wěn)定源外擴(kuò)散：在穩(wěn)態(tài)外擴(kuò)散的標(biāo)準(zhǔn)下，企業(yè)時(shí)間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴(kuò)散方位的企業(yè)總面積的外擴(kuò)散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。 

2.限制源外擴(kuò)散：在再遍布全過程中，外擴(kuò)散是在限制源的標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)有的，全部外擴(kuò)散全過程的殘?jiān)?，限制于外擴(kuò)散前積淀在硅片表層的無限薄層內(nèi)的殘?jiān)偖a(chǎn)量，沒有外地人殘?jiān)钛a(bǔ)即在硅片表層處的殘?jiān)飨鄬γ芏取?nbsp;

生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴(kuò)散：預(yù)淀積外擴(kuò)散。預(yù)擴(kuò)散是穩(wěn)定源外擴(kuò)散，關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同，維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴(kuò)散是限制源外擴(kuò)散，而且在主外擴(kuò)散后進(jìn)入大氮汽體，做為推動汽體，增加PN結(jié)深度。

電池片各工序影響因素及異常情況

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。 

電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象 

一回清理危害要素 

1.溫度 

溫度過高，先就是說IPA不太好操縱，溫度一高，IPA的蒸發(fā)迅速，汽泡印就會隨著出現(xiàn)，那樣就大大減少了PN結(jié)的合理總面積，反映加重,還會出現(xiàn)影片的飄浮，導(dǎo)致殘片率的提升?？煽匦运剑赫{(diào)整設(shè)備的設(shè)定，能夠非常好的調(diào)整溫度。 

2.時(shí)間金字塔式隨時(shí)間的轉(zhuǎn)變：金字塔式慢慢冒出；表層上基礎(chǔ)被小金字塔式遮蓋，少數(shù)剛開始成才；金字塔式滿布的絨面早已產(chǎn)生，僅僅尺寸不勻稱，透射率也降至較為低的狀況；金字塔式向外擴(kuò)大企業(yè)兼并，容積慢慢澎漲，規(guī)格趨向平等，透射率略微降低?？煽匦运剑赫{(diào)整機(jī)器設(shè)備主要參數(shù)，能夠精準(zhǔn)的調(diào)整時(shí)間。 

3.IPA1.幫助氡氣的釋放出來。2.變?nèi)鮊aOH水溶液對硅片的浸蝕幅度，調(diào)整各向系數(shù)。純NaOH水溶液在高溫下對分子排序較為稀少的100晶面和較為高密度的111晶面毀壞較為大，每個(gè)晶面被浸蝕而消溶，IPA顯著變?nèi)鮊aOH的浸蝕抗壓強(qiáng)度，提升了浸蝕的各向異性，有益于金字塔式的成型。酒精含水量過高，堿水溶液對硅水溶液浸蝕工作能力越來越太弱，各向異性系數(shù)又趨向3?？煽匦运剑阂罁?jù)初次配液的含水量，及每一次大概耗費(fèi)的量，來填補(bǔ)足量的液體，線性度不高。

晶體硅電池片

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價(jià)回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

晶體硅電池片檢驗(yàn)方法：

2 ） 外觀目測：

a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻 一致 ，無明顯色差花斑、水痕、手印、劃痕及污垢。

b. 隱裂：電池片有隱裂、 肉眼可見的裂紋， 均視為不合格

c. 背面鋁背電極完整，表面平整 、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ， 脫落 3mm 2   / 個(gè) ≤ 5mm 2 、鼓泡累計(jì)面積≤5mm

2  ,  背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度?   背膜燒結(jié)：用層壓機(jī) 130 — 145 度，超過 10 分鐘。冷卻到室溫后，用刀片隔開 1cm 的寬度，用大于 50N 的拉力，鉛膜不隨 EVA 脫落，則認(rèn)為合格。

d. 受光面柵線：主柵線均勻完整，柵線印刷清晰、對稱；主柵線與細(xì)柵線處允許≤ 1mm ；細(xì)柵線允許≤ 2mm 的脫落；柵線印刷偏離，明顯兩次印刷的返工片視為不合格；斷點(diǎn)的總數(shù)≤ 60mm。

e. 崩邊：每一邊不超過兩處崩邊，崩邊間距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面積≤ mm 2

f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ，數(shù)量不超過 2 個(gè)。缺角：一邊有一處崩邊，面積≤5mm 2 ，一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2

g. 電池的崩邊、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求：長度不大于 1.5mm ，由邊緣向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處。同時(shí)不允許電池上 V 形缺口。