MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質為100％純銅材料，黑膠部分采用復合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產(chǎn)線設備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國安規(guī)認證，是世界上安全試驗和鑒定機構整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運作良率是世界上安全試驗和鑒定機構

激光打標，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質是采用進口環(huán)氧塑脂材料

我司技術力量雄厚，可協(xié)同用戶研發(fā)、設計新產(chǎn)品，并可提供現(xiàn)場指導。

“誠信”是強元芯屹立于行業(yè)之本，未來，我們?nèi)詫∈亍罢\信，專業(yè)，務實”的服務理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結構參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

肖特基(Schottky)二極管的特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要多做考慮。

另外，除了普通PN結二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。

接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復二極管小于快恢復二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關二極管；

由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。