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發(fā)布時間:2021-10-06 13:53  






開關電源

直接驅(qū)動配置是在開關操作期間直接驅(qū)動GaN器件柵極。無偏置電源時,MOSFET柵極被拉至接地,并以與共源共柵配置相同的方式關閉GaN器件。一旦存在偏置電源,MOSFET保持導通狀態(tài),其寄生電容和體二極管從電路中移出。其優(yōu)點在于可通過設置對GaN柵極充電的電流來控制壓擺率;另外還可增加柵極環(huán)路阻抗,抑制其寄生諧振。柵極環(huán)路的抑制還可減少電源環(huán)路中的振鈴,降低GaN器件上的電壓應力,并減少硬開關期間的電磁干擾(EMI)。



TI功率器件集成技術(shù)優(yōu)勢盡顯

易用性:從便于使用的角度考慮,集成能力對客戶的應用也很重要。例如,TI UCC12050集成了增強隔離變壓器以及初級和次級側(cè)硅,提供了完全集成的0.5W隔離偏置電源方案。對用戶來說,這是一個非常易于使用的器件,因為它能夠滿足嚴格的EMI要求,又將功率密度提高了80%。這使UCC12050能夠適合傳統(tǒng)解決方案無法滿足的領域和應用。





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布局前,了解清楚電源的規(guī)格書,電源的規(guī)格,有無特殊要求,以及要過的安規(guī)標準。

結(jié)構(gòu)輸入條件是不是準確,以及風道的確認,輸入輸出端口的確認,以及主功率流向。

工藝路線選取,根據(jù)器件的密度,以及有無特殊器件,選擇相對應工藝路線。

布局中,注意合理的布局,保證四大環(huán)路盡可能小,提前預判后續(xù)走線是否好走。變壓器的擺放基本決定了整體的布局,一定要慎重,放到佳位置。EMI部分的布局流向清晰,與其它主功率部分有清晰的隔離帶。減少受到主功率開關器件的干擾。各吸收回路的面積盡可能小,散熱器的長度以及位置要合理,不擋風道。





電源設計技巧

規(guī)程的各個步驟分別是:

● 在接通狀態(tài)確定電流通路。

● 在斷開狀態(tài)確定電流通路。

● 找到連續(xù)電流的位置。

● 找到斷續(xù)電流的位置。

● 盡量減少斷續(xù)電流環(huán)路。

此列表中列出了給定功率級配置的關鍵回路:

● 降p——輸入電容回路。

● 升壓——輸出電容回路。

● 反相 - 升壓——輸入和輸出電容回路。

● 反激——輸入和輸出電容回路。

● Fly-Buck?——輸入電容回路。

● SEPIC——輸出電容回路。

● Zeta——輸入電容回路。

● 正激、半橋、全橋——輸入電容循環(huán)。





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