同方迪一分享瓷片電容和獨(dú)石電容作用的區(qū)別

獨(dú)瓷片電容和獨(dú)石電容的工作原理是相近的，在一些要求不是很嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膱龊现袃烧呤强梢曰ハ嗵鎿Q的。當(dāng)然，替換時(shí)間不可過長，須要盡快更換同等同容量的電容。

瓷片電容器根據(jù)所使用的材料，可分為三類，一類為溫度補(bǔ)償類，二類為高介電常數(shù)類，三類為半導(dǎo)體類，主要用于電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波、旁路電路中。瓷片電容的制作工藝是比較特殊的，采用薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。相對(duì)而言，瓷片電容體積小，價(jià)格低，耐壓高，頻率高，因此在很多便攜電子產(chǎn)品中的應(yīng)用是廣泛的。

獨(dú)石電容的體積比CBB更小，其他同CBB。經(jīng)常會(huì)被應(yīng)用在模擬、數(shù)字電路信號(hào)旁路、濾波，音響。獨(dú)石電容電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。對(duì)于一些要求高或者是要求精密度的產(chǎn)品中都是可以采用獨(dú)石電容的。獨(dú)石電容比較穩(wěn)定，問溫漂系數(shù)小，電容值可以做到1uF，等效直流電阻小，價(jià)格稍貴。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對(duì)電參數(shù)惡化的影響?？諝庵袦囟冗^高， 會(huì)使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分會(huì)滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環(huán)境對(duì)瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng)，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機(jī)介質(zhì)表面，還擴(kuò)散到無機(jī)介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使兩個(gè)銀電極之間完全短路，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運(yùn)用測試操作時(shí)，電容器投入時(shí)的電流過大，無任何無電壓保護(hù)措施，也無串聯(lián)電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會(huì)影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了強(qiáng)大的電流，導(dǎo)致內(nèi)部材料發(fā)熱，散熱不及時(shí)，造成熱擊穿損壞。

同方迪一分享瓷片電容濾波的工作原理

如下圖所示為電容濾波電路，濾波電容容量大，因此一般采用電解電容，在接線時(shí)要注意電解電容的正、負(fù)極。電容濾波電路利用電容的充、放電作用，使輸出電壓趨于平滑。

濾波原理

當(dāng)u2為正半周并且數(shù)值大于電容兩端電壓uC時(shí)，二極管D1和D3管導(dǎo)通，D2和D4管截止，電流一路流經(jīng)負(fù)載電阻RL，另一路對(duì)電容C充電。當(dāng)uC>u2，導(dǎo)致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負(fù)載電阻RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律緩慢下降。

當(dāng)u2為負(fù)半周幅值變化到恰好大于uC時(shí)，D2和D4因加正向電壓變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，u2再次對(duì)C充電，uC上升到u2的峰值后又開始下降；下降到一定數(shù)值時(shí)D2和D4變?yōu)榻刂?，C對(duì)RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律下降；放電到一定數(shù)值時(shí)D1和D3變?yōu)閷?dǎo)通，重復(fù)上述過程。

?瓷片電容

瓷片電容

瓷片電容一般是由一層介質(zhì)和一對(duì)電極構(gòu)成的。其主要優(yōu)點(diǎn)就是可以耐高壓，通常用作安規(guī)電容，可以耐250V交流電壓。

瓷片電容在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿