175度三極管

北京啟爾特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高溫晶體管，具有體積小，電壓范圍大，結(jié)實(shí)可靠，可耐高溫，常用型號有2N2222A等，適用于石油測井勘探及其他科研領(lǐng)域。

耗散功率耗散功率也稱集電極允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的集電極耗散功率。

耗散功率與晶體管的允許結(jié)溫和集電極電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時(shí)，其實(shí)際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。

通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

200度三極管

達(dá)林頓管就是兩個(gè)三極管接在一起，極性只認(rèn)前面的三極管。因此，通過控制電抗器兩端的電壓降，輸出值可以在比較窄的范圍內(nèi)控制。具體接法如下，以兩個(gè)相同極性的三極管為例，前面三極管集電極跟后面三極管集電極相接，前面三極管發(fā)射極跟后面三極管基極相接，前面三極管功率一般比后面三極管小，前面三極管基極為達(dá)林頓管基極，后面三極管發(fā)射極為達(dá)林頓管發(fā)射極，用法跟三極管一樣，放大倍數(shù)是兩個(gè)三極管放大倍數(shù)的乘積。

225度MOS管

場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管）。二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。