編輯：DD

肖特基二極管的弱點(diǎn)和避免事項(xiàng)

肖特基二極體的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問(wèn)題，肖特基二極體實(shí)際使用時(shí)的反向偏壓都會(huì)比其額定值小很多。不過(guò)肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值可以到200V。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

　　【ASEMI講解肖特基二極管的命名】

　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫(xiě)成SR），

　　也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode 縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即為肖特基整流二極管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　勢(shì)壘：Barrier

　　SB:即為肖特基勢(shì)壘二極管

　　肖特基二極管也稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），國(guó)內(nèi)廠家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…