什么是蒸發(fā)鍍膜？

蒸發(fā)鍍膜常稱真空鍍膜。

其特點(diǎn)是在真空條件下，材料蒸發(fā)并在玻璃表面上凝結(jié)成膜，再經(jīng)高溫?zé)崽幚砗螅诓ＡП砻嫘纬筛街軓?qiáng)的膜層。有70 多種元素、50 多種無機(jī)化合物材料和多種合金材料可供選擇。因其具有背景干擾低的特點(diǎn)，可用來進(jìn)行納克(ng)級(jí)分析，故而成為業(yè)界定性定量分析的必選儀器。PVD工藝的首要條件是在真空條件下操作，因?yàn)橄蘖恳陨系臍堄鄽怏w會(huì)影響膜的成分和性質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)鍍膜工藝，要求殘余氣體的壓力為0.1～1Pa。

ZF350有機(jī)無機(jī)聯(lián)合制備：采用3～4組蒸發(fā)源可兼容金屬、有機(jī)物蒸發(fā)。派瑞林裂解儀的工作原理由于裂解碎片的組成和相對(duì)含量與被測(cè)高分子的結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，所以，每種高分子的裂解色譜圖都各有其特征，我們稱之為熱裂解指紋色譜圖。廣泛應(yīng)用于高校材料、物理、化學(xué)、電子、能源等相關(guān)學(xué)科以及科研院所制備高質(zhì)量功能薄膜、蒸鍍電極等，特別適合OPV/鈣鈦礦/無機(jī)薄膜太陽能電池、半導(dǎo)體、有機(jī)EL、OLED顯示研究與開發(fā)領(lǐng)域。

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電阻熱蒸發(fā)鍍膜——“蒸發(fā)技術(shù)”介紹

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蒸發(fā)技術(shù)分為間歇蒸發(fā)與連續(xù)蒸發(fā)、直接電阻加熱蒸發(fā)和間接電阻加熱蒸發(fā),連續(xù)生產(chǎn)與制造厚膜時(shí)采用連續(xù)蒸發(fā)加熱。一個(gè)入射的蒸氣原子在表面的滯留時(shí)間中,原子不斷地?cái)U(kuò)散形成不均勻的成核作用，隨著蒸氣原子不斷地沖擊表面,各個(gè)核都在增長(zhǎng)，相鄰各核開始接觸進(jìn)入聚結(jié)階段，直到形成連續(xù)膜。6×10Pa蒸發(fā)室：方形真空室，尺寸：450×400×350mm恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6。也可把上述過程劃分為小島階段、網(wǎng)絡(luò)階段、孔階段及連續(xù)膜階段。

小方分子提純?cè)O(shè)備300C有機(jī)無機(jī)聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜機(jī)廠家

小方分子提純?cè)O(shè)備　　

主要用途：　　

用來生長(zhǎng)有機(jī)材料提純的研究工作?！　?

系統(tǒng)組成:　　該類設(shè)備為單室結(jié)構(gòu)。　　

技術(shù)指標(biāo)：　　

極限真空≤610-4Pa，工作壓力≤2*10-3Pa；　　

系統(tǒng)漏率≤6.7×10-7PaL/s?！　?

鍍膜室：腔室尺寸約為Φ50×350mm，石英材料，圓柱形結(jié)構(gòu)?！　?

抽氣系統(tǒng)：采用分子泵 機(jī)械泵抽氣系統(tǒng)；　　

樣品可加熱，加熱溫度為：200-600℃；

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)　　

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有機(jī)熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)介紹

1. 真空室的極限真空度達(dá)5*10-5pa，漏率為關(guān)機(jī)12小時(shí)≤5pa

2. 真空腔內(nèi)配有集約樣品臺(tái)一套，配有大擋板和16套小擋板，手動(dòng)控制，開關(guān)方便快捷，每個(gè)小擋板擋兩塊30*30mm樣片

3. 蒸發(fā)源共14套，其中10套有機(jī)蒸發(fā)源，4套金屬蒸發(fā)源?？販?span style="text-indent:2em;font-size:12px;">精度±1℃，可以實(shí)現(xiàn)溫度或電流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)蒸鍍速率穩(wěn)定的功能

4. 金屬蒸發(fā)源配4臺(tái)一帶一1000W可控硅調(diào)壓電源，通過銅電極連接，兩端可夾鎢絞絲或者鉭舟，鎢絞絲可以蒸鍍絲狀或者大顆粒材料，鉭舟可以蒸鍍粉末狀材料，蒸發(fā)源采用陶瓷全密封，避免交叉污染

5. 有機(jī)蒸發(fā)源配10臺(tái)一帶一溫控電源，有機(jī)源溫度為室溫-500度，可以根據(jù)材料及用戶需求自行調(diào)節(jié)

6. 樣品臺(tái)具有旋轉(zhuǎn)、升降功能，可在線更換掩膜板一次，可同時(shí)裝載30mm*30mm樣品16塊。本產(chǎn)品每?jī)蓚€(gè)樣品都配有小擋板，并且通過PLC控制步進(jìn)電機(jī)對(duì)每個(gè)小擋板做16個(gè)定位，使機(jī)械手推拉小擋板，樣品與蒸發(fā)源之間的間距為200-300mm

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